深圳市在氮化鎵/碳化硅集成領域取得突破
2025-08-13 08:48   
來源: 云財經   
影響力評估指數:23.6  
云財經訊,記者昨日從市國資委了解到,由市屬國企深重投集團與市科技創新局聯合打造的國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺(簡稱“國創中心”)在氮化鎵/碳化硅集成領域取得突破性進展。該國創中心在國際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質量氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構外延,能顯著降低氮化鎵外延材料的缺陷密度,大幅提升散熱性能,各項指標均達到國際領先水平,有望從根本上解決其可靠性問題。這一成果打破了大尺寸氮化鎵與碳化硅材料單片集成的技術瓶頸,可批量應用于大尺寸、高質量氮化鎵外延材料制備,為現有硅基氮化鎵技術路線提供了一種極具競爭力的替代方案,為氮化鎵/碳化硅混合晶體管的發展和產業化進程奠定基礎。 (深圳特區報)
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